Транзистор полевой STW11NM80
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055405116
- Артикул
- STW11NM80
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmeshв(ў
- Series:
- STW11NM80
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STW11NM80 от STMicroelectronics — высокомощный компонент для силовой электроники. Устройство выполнено в надежном корпусе TO247, предназначенном для монтажа THT (сквозное отверстие). Способно выдерживать ток стока до 8 А и напряжение сток-исток до 800 В, что делает его идеальным для высоковольтных применений. Мощность транзистора достигает 150 Вт, а сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,35 Ом, обеспечивая эффективную работу с минимальными потерями. Тип N-MOSFET подчеркивает эффективность и надежность использования в различных схемах. Код товара STW11NM80 гарантирует соответствие международным стандартам качества и безопасности. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 8 Напряжение сток-исток, В 800 Мощность, Вт 150 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.35 Корпус TO247
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmeshв(ў |
| Series: | STW11NM80 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 17 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Standard Package | 30 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43.6 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Power Dissipation (Max) | 150W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 400 mOhms |