STW10NK60Z, Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001009598
- Артикул
- STW10NK60Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Width
- 5.15mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh, SuperMESH
Цена по запросу
(от 469 ₽)
Минимальный заказ: 26 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5,7А, 156Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 5.15mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Series: | STW10NK60Z |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 30 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 20 ns |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 156 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7.8 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 750 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.65Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 750 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.75В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.65Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |