Моя заявка (0)
STU8N80K5, MOSFETs N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004584150
Артикул
STU8N80K5
Бренд
STMicroelectronics
Type
Power MOSFET
Mounting
Through Hole
Polarity
N
Packaging
Rail/Tube
Цена по запросу
(от 302 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected

Технические параметры

TypePower MOSFET
MountingThrough Hole
PolarityN
PackagingRail/Tube
Pin Count3+Tab
Вес, г4
СерияSTU8N80K5
Channel ModeEnhancement
Package TypeIPAK
Rad HardenedNo
УпаковкаTube
Power Dissipation110(W)
Number of Elements1
СтруктураN-Channel
Drain-Source On-Volt800(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада20 ns
Особенностиинтеллектуальный ключ с защитой
Тип продуктаMOSFET
Continuous Drain Current6(A)
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Gate-Source Voltage (Max)'±30(V)
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-251-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора16.5 nC
Время нарастания14 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Operating Temperature ClassificationMilitary
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности110 W
Id - непрерывный ток утечки6 A
Коммерческое обозначениеSuperMESH
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток950 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения32 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.76 Ом

Техническая документация