Моя заявка (0)
STU7N80K5, MOSFETs N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830884
Артикул
STU7N80K5
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh K5
Fall Time
20.2 ns
Цена по запросу
(от 219,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
SeriesMDmesh K5
Fall Time20.2 ns
PackagingTube
Rise Time8.3 ns
TechnologySi
Вес, г4
СерияSTU7N80K5
Unit Weight0.139332 oz
Channel ModeEnhancement
ManufacturerSTMicroelectronics
ConfigurationSingle
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-251-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge13.4 nC
УпаковкаTube
Number of Channels1 Channel
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаThrough Hole
Время спада20.2 ns
Pd - Power Dissipation110 W
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Typical Turn-On Delay Time11.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time23.7 ns
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-251-3
Id - Continuous Drain Current6 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора13.4 nC
Время нарастания8.3 ns
Rds On - Drain-Source Resistance950 mOhms
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4 V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности110 W
Id - непрерывный ток утечки6 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток950 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Пороговое напряжение на затворе5V@100uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения23.7 ns
Типичное время задержки при включении11.3 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)950mΩ@10V, 3A

Техническая документация