STU7N65M2, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8588186098
- Артикул
- STU7N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 1
- Серия
- STU7N65M2
- Продукт
- Power MOSFET
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in a IPAK package
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 1 |
| Серия | STU7N65M2 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 20 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9nC@10V |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 270pF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Qg - заряд затвора | 9 nC |
| Время нарастания | 20 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.15 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.15Ω |