STU7N60M2, MOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065846903
- Артикул
- STU7N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 15.9 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 7.2 ns
Цена по запросу
(от 318 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мдмеш™ II Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодами оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS (on), зарядом затвора (Qg) и собственной емкостью (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 15.9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 7.2 ns |
| Вес, г | 0.34 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-251-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 860 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |