STU6N95K5,Power MOSFET, N Channel, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-251, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000977986
- Артикул
- STU6N95K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STU6N95K5
- Fall Time:
- 21 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 528 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные МОП-транзисторы STMicroelectronics SuperMESH - сквозные
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STU6N95K5 |
| Fall Time: | 21 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 12 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-251-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 nS |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.25 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1 Ом |