Моя заявка (0)

STU6N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU6N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060450622
Артикул
STU6N65M2
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STU6N65M2
Product:
Power MOSFETs
Fall Time:
20 ns
Цена по запросу
(от 128,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STU6N65M2
Product:Power MOSFETs
Fall Time:20 ns
Packaging:Tube
Rise Time:7 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-251-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:9.8 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:60 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:19 ns
Typical Turn-Off Delay Time:6.5 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.35 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация