Моя заявка (0)
STU5N65M6, Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002253619
Артикул
STU5N65M6
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
Mdmesh M6
Tradename:
MDmesh
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 230 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:Mdmesh M6
Tradename:MDmesh
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-251-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:5.1 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:45 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.25 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация