STU4N62K3, MOSFETs N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584146
- Артикул
- STU4N62K3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 187,16 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 19 ns |
| Lead Shape | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 0.34 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package Width | 2.4(Max) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package Length | 6.6(Max) |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-251-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | IPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Process Technology | SuperMESH |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-251 |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Rise Time (ns) | 9 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 620 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 29 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 550@50V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2000@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 620 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ohms |