Моя заявка (0)

STU3LN80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

STU3LN80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830869
Артикул
STU3LN80K5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
26 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
7 ns
Цена по запросу
(от 137,12 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:26 ns
Packaging:Tube
Rise Time:7 ns
Вес, г0.34
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-251-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:2.63 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:45 W
Typical Turn-On Delay Time:6.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт45
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.75 Ohms

Техническая документация