STU2N80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830867
- Артикул
- STU2N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- SuperMESH5в„ў ->
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 186 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in IPAK package
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | SuperMESH5в„ў -> |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | 30V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 4 |
| Серия | STU2N80K5 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Type | N Channel |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 45Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | STU2N80 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 32 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 1A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Qg - заряд затвора | 9.5 nC |
| Время нарастания | 12 ns |
| Drain Source On State Resistance | 3.5Ом |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 105pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 45Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3.5Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 Ом |