STU10NM60N, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 5А, 70Вт, IPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072369416
- Артикул
- STU10NM60N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.38
- Серия
- STU10NM60N
- Упаковка
- Tube
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 242,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 5А, 70Вт, IPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.38 |
| Серия | STU10NM60N |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 530 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 530 mOhms |