STS9D8NH3LL, Trans MOSFET N-CH 30V 8A/9A 8-Pin SO N T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001056315
- Артикул
- STS9D8NH3LL
- Бренд
- STMicroelectronics
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 63 ₽)
Минимальный заказ: 490 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30V 8A/9A с 8-контактным разъемом SO N T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SO N |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SOP |
| Typical Fall Time (ns) | 8 Q 1|8.5 Q 2 |
| Typical Rise Time (ns) | 14.5 Q 1|32 Q 2 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7 5V|9 5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 Q 1|15 Q 2 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 23 Q 1|18 Q 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 8 Q 1|9 Q 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 857 25V|965 25V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 22 10V Q 1|15 10V Q 2 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |