STS8DN3LLH5, Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0155 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003256830
- Артикул
- STS8DN3LLH5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STS8DN3LLH5
- Fall Time:
- 3.5 ns
- Rise Time:
- 4.2 ns
Цена по запросу
(от 258 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STS8DN3LLH5 |
| Fall Time: | 3.5 ns |
| Rise Time: | 4.2 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 2.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -22 V, +22 V |
| Power Dissipation N Channel | 2.7Вт |
| Power Dissipation P Channel | 2.7Вт |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15.5 mOhms |
| Линейка Продукции | STripFET V Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.7Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0155Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0155Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 10А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 10А |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0155Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0155 Ом |