N-Channel MOSFET, 7.5 A, 60 V, 8-Pin SO-8 STS7NF60L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070575217
- Артикул
- STS7NF60L
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 4mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STS7NF60L
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 373,14 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот мощный МОП-транзистор является последней разработкой компании STMicroelectronis, использующей уникальный ленточный процесс "Single Feature Size™".
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STS7NF60L |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 27 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SO-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 13 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 21 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.017 Ом |