STS5P3LLH6, Транзистор: P-MOSFET; STripFET™ H6; полевой; -30В; -3,2А; Idm: -20А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062222054
- Артикул
- STS5P3LLH6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STS5P3LLH6
- Fall Time:
- 3.4 ns
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STS5P3LLH6 |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 2.7Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2.7W |
| Pd - Power Dissipation: | 2.7 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 639pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19.2 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.048Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 48 mOhms |
| Линейка Продукции | STripFET H6 DeepGATE |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.7Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.048Ом |