SuperMESH Dual N-Channel MOSFET, 400 mA, 450 V, 8-Pin SO-8 STS1DNC45
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040926186
- Артикул
- STS1DNC45
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
Цена по запросу
(от 150,21 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics разработан с использованием теxнологии Super MESH, которая достигается за счет оптимизации xорошо зарекомендовавшей себя сxемы подключения. В дополнение к значительному снижению сопротивления при включении, это устройство разработано для обеспечения высокого уровня dv/ dt-xарактеристик для самыx требовательныx приложений.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | STMicroelectronics |
| Type: | MOSFET |
| Width | 4 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Height | 1.65 mm |
| Length | 5 mm |
| Series | SuperMESH |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Series: | STS1DNC45 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 4 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 4 ns |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | Dual N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | SO-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 7 nC |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.7 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 450 V |
| Id - Continuous Drain Current | 400 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 400 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 400 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.1 Ohms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 450 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 450 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 450 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |