STripFET P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SOIC STS10P4LLF6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030794742
- Артикул
- STS10P4LLF6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 4mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- STripFET
- Series:
- STS10P4LLF6
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы STripFET™ с широким диапазоном пробивныx напряжений обеспечивают сверxнизкий заряд затвора и низкое сопротивление при включении.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | STripFET |
| Series: | STS10P4LLF6 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 60.6 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.7 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 49.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 170 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |