STS10DN3LH5, SO-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015751697
- Артикул
- STS10DN3LH5
- Бренд
- STMicroelectronics
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Type
- 2 N-Channel
- Вес, г
- 0.2
- No. of Pins
- 8Pins
Цена по запросу
(от 235 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 10 А 2,5 Вт 21 Мом при 5 А, 10 В 1 В при 250 мкА 2 N-канальныx МОП-транзистора SO-8 ROHS
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.2 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | SO-8 |
| Product Range | STripFET V Series |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Transistor Case Style | SOIC |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Особенности | - |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.6nC@5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Power Dissipation N Channel | 2.5W |
| Power Dissipation P Channel | 2.5W |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 475pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 30V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 10A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 10A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.019ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.019ohm |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 21mΩ@5A, 10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 21mΩ@5A, 10V |