STR2P3LLH6, Транзистор: P-MOSFET; STripFET™; полевой; -30В; -1,2А; Idm: -8А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029057847
- Артикул
- STR2P3LLH6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- SOT23
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STR2P3LLH6
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 107 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STR2P3LLH6 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Technology | STripFET™ |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 6nC |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -1.2A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel Power MOSFET |
| Power dissipation | 0.35W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 90mΩ |
| Drain-source voltage | -30V |
| Pulsed drain current | -8A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.048Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 56 mOhms |
| Линейка Продукции | STripFET H6 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Рассеиваемая Мощность | 350мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 950mV@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.048Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 150mΩ@1.8A, 4.5V |