STripFET V N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 STR2N2VH5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014488340
- Артикул
- STR2N2VH5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 1.75mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 30@4.5V mOhm
- Series
- STripFET V
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; полевой; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А
Технические параметры
| Width | 1.75mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 30@4.5V mOhm |
| Series | STripFET V |
| Series: | STR2N2VH5 |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 1 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Max Processing Temp | 260 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.025Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Линейка Продукции | STripFET H5 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 2.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 350мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 700мВ |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.025Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |