STQ2LN60K3-AP, 600V 600mA 2.5W 4.5-@1A,10V 4.5V@50uA N Channel 235pF@50V 12nC@10V +150-@(Tj) TO-92-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015932858
- Артикул
- STQ2LN60K3-AP
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.2
- Серия
- STQ2LN60K3-AP
- Упаковка
- Ammo Pack
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Серия | STQ2LN60K3-AP |
| Упаковка | Ammo Pack |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 21 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Время нарастания | 8.5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@50uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 23.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |