STQ1NK60ZR-AP, Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001296410
- Артикул
- STQ1NK60ZR-AP
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STQ1NK60ZR
- Fall Time:
- 28 ns
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 300 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STQ1NK60ZR |
| Fall Time: | 28 ns |
| Packaging: | Ammo Pack |
| Rise Time: | 5 ns |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.9 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.9nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 94pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@50uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15Ω@10V, 400mA |