STQ1HNK60R-AP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,25А; Idm: 1,6А; 3Вт; TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015743839
- Артикул
- STQ1HNK60R-AP
- Бренд
- STMicroelectronics
- PPAP
- No
- Width
- 3.94mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh, SuperMESH
Цена по запросу
(от 73 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 3.94mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Series: | STQ1HNK60R |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 25 ns |
| Lead Shape | Formed |
| Packaging: | Ammo Pack |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.35 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-92 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-92 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Process Technology | SuperMESH |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Typical Fall Time (ns) | 25 |
| Typical Rise Time (ns) | 5 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 156pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 400mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 400 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.25V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 7 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.5 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.5 |
| Maximum Continuous Drain Current | 400 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 Ohms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 156@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 8500@10V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.8pF@25V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.25 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.7V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.3Ω@10V, 500mA |