STP9NK70ZFP TO-220F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075232635
- Артикул
- STP9NK70ZFP
- Бренд
- STMicroelectronics
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Width
- 4.6mm
- Series
- SuperMESHв„ў ->
Цена по запросу
(от 400 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 4,7А, 35Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Width | 4.6mm |
| Series | SuperMESHв„ў -> |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | STP9NK70ZFP |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 9.3 mm |
| Ширина | 4.6 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Упаковка | Tube |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100ВµA |
| Base Product Number | STP9NK70 -> |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 13 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 4A, 10V |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2 Ω |
| Время нарастания | 17 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.5 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7.5A (Tc) |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.5 A |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |