Моя заявка (0)

STP9NK70ZFP, Trans MOSFET N-CH 700V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

STP9NK70ZFP, Trans MOSFET N-CH 700V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001214744
Артикул
STP9NK70ZFP
Бренд
STMicroelectronics
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Width
4.6mm
Series
SuperMESHв„ў ->
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 150 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Width4.6mm
SeriesSuperMESHв„ў ->
PackageTube
FET TypeN-Channel
Pin Count3
Vgs (Max)В±30V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г1
Длина10.4 mm
СерияSTP9NK70ZFP
RoHS StatusROHS3 Compliant
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220FP
REACH StatusREACH Unaffected
Высота9.3 mm
КорпусTO-220
Ширина4.6 mm
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
УпаковкаTube
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100ВµA
СтруктураN-Channel
Base Product NumberSTP9NK70 ->
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Время спада13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 4A, 10V
Особенностивысоковольтный
Other Related Documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Power Dissipation (Max)35W (Tc)
Supplier Device PackageTO-220FP
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation35 W
Typical Gate Charge @ Vgs48 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220FP-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
Maximum Drain Source Voltage700 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)700V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Qg - заряд затвора48 nC
Maximum Drain Source Resistance1.2 Ω
Время нарастания17 ns
Maximum Continuous Drain Current7.5 A
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1370pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C7.5A (Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности35 W
Id - непрерывный ток утечки7.5 A
Коммерческое обозначениеSuperMESH
Крутизна характеристики, S5.3 S
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток700 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения45 ns
Типичное время задержки при включении22 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.75 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5.3 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В30 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.2 Ohms

Техническая документация