Моя заявка (0)
STP9NK65Z, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022298245
Артикул
STP9NK65Z
Бренд
STMicroelectronics
Case
TO220-3
Тип
MOSFET
Mounting
THT
Вес, г
1.99
Цена по запросу
(от 293 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH

Технические параметры

CaseTO220-3
ТипMOSFET
MountingTHT
Вес, г1.99
Длина10.4 mm
СерияSTP9NK65Z
Gate charge41nC
ManufacturerSTMicroelectronics
Polarisationunipolar
Высота9.15 mm
Ширина4.6 mm
Drain current6.4A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation125W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.2Ω
Drain-source voltage650V
Pulsed drain current25.6A
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада15 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора41 nC
Время нарастания12 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности125 W
Id - непрерывный ток утечки7 A
Коммерческое обозначениеSuperMESH
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения45 ns
Типичное время задержки при включении20 ns
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация