STP9NK50ZFP, MOSFETs N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830259
- Артикул
- STP9NK50ZFP
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Width
- 4.6mm
Цена по запросу
(от 240,28 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7,2А, 30Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.33 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | STP9NK50ZFP |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Высота | 9.3 mm |
| Ширина | 4.6 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 4.6(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| EDA / CAD Models | STP9NK50ZFP by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Упаковка | Tube |
| Process Technology | SuperMESH |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 22 ns |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 22 |
| Typical Rise Time (ns) | 20 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 32 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 32@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 850 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 17 |
| Время нарастания | 20 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 910@25V |
| Средства разработки | STEVAL-ISC002V1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 850@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.2 A |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 850 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.2 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.3 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.72Ом |