STP9N65M2, 650V 5A 60W 900m @10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048226197
- Артикул
- STP9N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 2.6
- Серия
- STP9N65M2
- Продукт
- Power MOSFET
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 297,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220 package
Технические параметры
| Вес, г | 2.6 |
| Серия | STP9N65M2 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 18 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Время нарастания | 6.6 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 22.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |