STP8NK80Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,9А, 140Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003173600
- Артикул
- STP8NK80Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 1500@10V mOhm
- Mounting
- Through Hole
- Вес, г
- 1.94
- Lead Finish
- Tin
Цена по запросу
(от 268,33 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,9А, 140Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RDS-on | 1500@10V mOhm |
| Mounting | Through Hole |
| Вес, г | 1.94 |
| Lead Finish | Tin |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | to220 |
| Typical Fall Time | 28 ns |
| Typical Rise Time | 30 ns |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Особенности | - |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 48 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.2 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |