STP80NF55-06,Power MOSFET, N Channel, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8539868871
- Артикул
- STP80NF55-06
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Width
- 4.6mm
- Series
- STripFET II
Цена по запросу
(от 404 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы STripFET™ с широким диапазоном пробивныx напряжений обеспечивают сверxнизкий заряд затвора и низкое сопротивление при включении.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Width | 4.6mm |
| Series | STripFET II |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 2.843 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Process Technology | STripFET II |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | TO |
| Power Dissipation (Pd) | 300W |
| Typical Fall Time (ns) | 65 |
| Typical Rise Time (ns) | 155 |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 142 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 189nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.4nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 142 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 142@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 27 |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 125 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4400@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6.5@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.5mΩ@10V, 40A |