Моя заявка (0)

STP80NF55-06, Транзистор N-МОП, полевой, 55В, 80А, 300Вт, TO220-3

STP80NF55-06, Транзистор N-МОП, полевой, 55В, 80А, 300Вт, TO220-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061442001
Артикул
STP80NF55-06
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
Width
4.6mm
Series
STripFET II
Цена по запросу
(от 299,55 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы STripFET™ с широким диапазоном пробивныx напряжений обеспечивают сверxнизкий заряд затвора и низкое сопротивление при включении.

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
Width4.6mm
SeriesSTripFET II
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г2.79
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
Process TechnologySTripFET II
Transistor MaterialSi
Standard Package NameTO
Power Dissipation (Pd)300W
Typical Fall Time (ns)65
Typical Rise Time (ns)155
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 W
Typical Gate Charge @ Vgs142 nC @ 10 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)189nC@10V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.4nF@25V
Maximum Drain Source Voltage55 V
Continuous Drain Current (Id)80A
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Power Dissipation (mW)300000
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)142
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)142@10V
Maximum Drain Source Resistance7 mΩ
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)27
Maximum Continuous Drain Current80 A
Maximum Drain Source Voltage (V)55
Typical Turn-Off Delay Time (ns)125
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)80
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)4400@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)6.5@10V

Техническая документация