Моя заявка (0)

STP80NF06, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 300Вт, TO220-3

STP80NF06, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 80А, 300Вт, TO220-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021864713
Артикул
STP80NF06
Бренд
STMicroelectronics
Width
4.6mm
Series
STripFET
Pin Count
3
Вес, г
2.68
Цена по запросу
(от 830 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width4.6mm
SeriesSTripFET
Pin Count3
Вес, г2.68
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Корпусto220
Mounting TypeThrough Hole
Priced to ClearYes
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Power Dissipation (Pd)300W
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation300 W
Typical Gate Charge @ Vgs115 nC @ 10 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)150nC@10V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)3.85nF@25V
Maximum Drain Source Voltage60 V
Continuous Drain Current (Id)80A
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-65 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance8 mΩ
Maximum Continuous Drain Current80 A
Крутизна характеристики, S20
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8mΩ@10V, 40A

Техническая документация