STP80N6F6, 60V 110A 120W 5.8m-@10V,50A 4.5V@250uA N Channel TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015805042
- Артикул
- STP80N6F6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 80A Автомобильный AEC-Q101 с 3-контактным разъемом (3 + язычка) для подключения к 220AB
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 2.67 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.6(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | STripFET |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 40 |
| Typical Rise Time (ns) | 71 |
| Особенности | - |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 120000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 147 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 147@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 40 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 132 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 8325@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |