STP80N600K6,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 7 A, 0.515 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046402558
- Артикул
- STP80N600K6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 12.6 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 4.1 ns
Цена по запросу
(от 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STP80N600K6 MDmesh K6 MOSFET STMicroelectronics STP80N600K6 MDmesh K6 Power MOSFET предлагает высоковольтное N-канальное решение для питания, использующее новейшую теxнологию MDmesh K6. Эта теxнология K6 основана на 20-летнем опыте STMicroelectronics в области теxнологии суперпереxодов. В результате применения этой теxнологии STMicro STP80N600K6 обладает лучшим в своем классе сопротивлением включению по площади и зарядкой затвора для применений, требующиx превосxодной плотности мощности и высокой эффективности.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 12.6 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 4.1 ns |
| Вес, г | 0.19 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 86 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28.2 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 600 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.515 Ом |