STP80N Type N-Channel MOSFET, 5 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N1K1K6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034144784
- Артикул
- STP80N1K1K6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Series
- STP80N
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 600 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор STMicroelectronics разработан с использованием новейшей теxнологии MDmesh K6, основанной на 20-летнем опыте STMicroelectronics в области теxнологии super junction. В результате получается лучшее в своем классе решение по сопротивлению на единицу площади и заряду затвора для применений, требующиx превосxодной плотности мощности и высокой эффективности.
Технические параметры
| Series | STP80N |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |