Транзистор полевой STP7NK80ZFP SuperMESH N-Ch 800V 5.2А 1.5 Ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070018157
- Артикул
- STP7NK80ZFP
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4.6mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh, SuperMESH
Цена по запросу
(от 390 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор STP7NK80ZFP — изделие серии STP7. Характеристики Обозначение: STP7NK80ZFP Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой SuperMESH N-Ch 800V 5.2А 1.5 Ohm Масса: 2 г Производитель: ST Единица измерения: шт
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Тип | MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-30 Вт |
| Описание | 800V, 5.2A N-Channel MOSFET |
| Упаковка | TUBE, 50 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Емкость, пФ | 1138 |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.2 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.8 Ω |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.8 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 5.2 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*40*31/800 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |