STP7NK80Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,3А, 125Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034696524
- Артикул
- STP7NK80Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmesh, SuperMESH
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.96
Цена по запросу
(от 219,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,3А, 125Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.96 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | to220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 56nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.138nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.2A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.8 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.2 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8Ω@10V, 2.6A |