Моя заявка (0)

STP7N90K5, MOSFETs N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP7N90K5, MOSFETs N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830234
Артикул
STP7N90K5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
14.7 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
14.2 ns
Цена по запросу
(от 257,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 серии STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RDS (on) и отличными показателями повышенной плотности мощности и эффективности. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:14.7 ns
Packaging:Tube
Rise Time:14.2 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:17.7 nC
Структура1 N-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:110 W
Typical Turn-On Delay Time:13.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:31.6 ns
Id - Continuous Drain Current:7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)720 mOhms

Техническая документация