STP7N60M2, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8204524846
- Артикул
- STP7N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmeshв„ў II Plus ->
Цена по запросу
(от 211 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 600В 5А (Tc) 60 Вт (Tc) Со сквозным отверстием TO-220
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmeshв„ў II Plus -> |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.9 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | STP7N60 -> |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.5A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.8 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 950 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 271pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5A (Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.86 Ом |