STP6NK60Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 3,8А, 110Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049172542
- Артикул
- STP6NK60Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Подробности
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- SuperMESH
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 3,8А, 110Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Подробности |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | SuperMESH |
| Series: | STP6NK60Z |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 19 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rds Вкл | 1.2 Ohms |
| Rise Time: | 14 ns |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 1.97 |
| Серия | STP6NK60Z |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Упаковка | Tube |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 19 ns |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Конфигурация | Single |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S |
| Время нарастания | 14 ns |
| кол-во в упаковке | 50 |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Рассеяние мощности | 110 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Непрерывный ток стока | 6 A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | +/-30 V |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 47 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |