Моя заявка (0)

STP6N62K3, Транзистор N-МОП, полевой, 620В, 3А, 30Вт, TO220-3

STP6N62K3, Транзистор N-МОП, полевой, 620В, 3А, 30Вт, TO220-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062593787
Артикул
STP6N62K3
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Width
4.6 mm
Height
9.15 mm
Цена по запросу
(от 287 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-channel 620V 1.1

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Width4.6 mm
Height9.15 mm
Length10.4 mm
SeriesN-channel MDmesh
Fall Time19 ns
PackagingTube
Rise Time12.5 ns
TechnologySi
Вес, г1.96
Длина10.4 mm
СерияSTP6N62K3
Unit Weight0.01164 oz
Channel ModeEnhancement
ManufacturerSTMicroelectronics
Высота9.15 mm
Ширина4.6 mm
ConfigurationSingle
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge34 nC
УпаковкаTube
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity50
Вид монтажаThrough Hole
Время спада19 ns
Pd - Power Dissipation90 W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Typical Turn-On Delay Time13 ns
Typical Turn-Off Delay Time27 ns
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Id - Continuous Drain Current5.5 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора34 nC
Время нарастания12.5 ns
Rds On - Drain-Source Resistance1.28 Ohms
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage620 V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности90 W
Id - непрерывный ток утечки5.5 A
Коммерческое обозначениеSuperMESH
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.28 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток620 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения27 ns
Типичное время задержки при включении13 ns

Техническая документация