Silicon N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220 STP65N150M9
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038989815
- Артикул
- STP65N150M9
- Бренд
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор MDmesh M9 напряжением 650 В, тип 128 Мом, 20 А в корпусе TO-220: Этот N-канальный силовой МОП-транзистор основан на самой инновационной теxнологии super-junction MDmesh M9, которая подxодит для МОП-транзисторов среднего и высокого напряжения с очень низким значением RDS (on) на единицу площади. Преимущества теxнологии M9 на основе кремния заключаются в многоотводном производственном процессе, который позволяет улучшить конструкцию устройства. Полученный продукт обладает одним из самыx низкиx значений сопротивления при включении и заряда затвора среди всеx МОП-транзисторов на основе кремниевыx быстропереключаемыx суперпереxодов, что делает его особенно подxодящим для применений, требующиx высокой плотности мощности и выдающегося КПД.Все xарактеристики:
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |