Моя заявка (0)
STP5NK52ZD, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015774451
Артикул
STP5NK52ZD
Бренд
STMicroelectronics
Series
SuperMESHв(ў
FET Type
N-Channel
Packaging
Tube
Vgs (Max)
В±30V
Цена по запросу
(от 126,94 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N Ch 520V Zener SuperMESH

Технические параметры

SeriesSuperMESHв(ў
FET TypeN-Channel
PackagingTube
Vgs (Max)В±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г3
Длина10.4 mm
СерияSTP5NK52ZD
Part StatusActive
ManufacturerSTMicroelectronics
Высота9.15 mm
Ширина4.6 mm
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Standard Package50
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50ВµA
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Вид монтажаThrough Hole
Время спада15 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5 Ohm @ 2.2A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)25W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220AB
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.9nC @ 10V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)520V
Время нарастания13.6 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds529pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C4.4A(Tc)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности70 W
Id - непрерывный ток утечки4.4 A
Коммерческое обозначениеSuperMESH
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток520 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения23.1 ns
Типичное время задержки при включении11.4 ns
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация