STP5N80K5, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025130649
- Артикул
- STP5N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220-3
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 1.97
- Gate charge
- 5nC
Цена по запросу
(от 261,86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 1.97 |
| Gate charge | 5nC |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 4A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 60W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 1.75Ω |
| Drain-source voltage | 800V |
| Pulsed drain current | 16A |
| Power Dissipation (Pd) | 16W |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 1.5Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.5Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.75Ω@10V, 2A |