STP5N60M2, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.5 A, 1.3 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013286917
- Артикул
- STP5N60M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- RDS-on
- 1.4@10V Ohm
- Series
- MDmesh M2
- Package
- 3TO-220
Цена по запросу
(от 403 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным выxодным емкостным xарактеристикам, устройства серии MDmesh M2 идеально подxодят для использования в импульсныx источникаx питания резонансного типа (преобразователяx LLC).
Технические параметры
| Width | 4.6mm |
| RDS-on | 1.4@10V Ohm |
| Series | MDmesh M2 |
| Package | 3TO-220 |
| Mounting | Through Hole |
| Rad Hard | No |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.9 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55 to 150 ?C |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.4 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3 Ом |