Моя заявка (0)

STP5N105K5, MOSFETs N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220 package

STP5N105K5, MOSFETs N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220 package

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830206
Артикул
STP5N105K5
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
0.33
Серия
STP5N105K5
Корпус
TO-220
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 280,08 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ K5, полевой, 1050В, 2А, 85Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Вес, г0.33
СерияSTP5N105K5
КорпусTO-220
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада24 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора12.5 nC
Время нарастания8.5 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности85 W
Id - непрерывный ток утечки3 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток1.05 kV
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения31 ns
Типичное время задержки при включении15.5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1050
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт85
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.9 Ом

Техническая документация