STP57N65M5, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000181849
- Артикул
- STP57N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh M5
Цена по запросу
(от 2 950 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 650В 42A 250Вт 0,063Ом TO220
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh M5 |
| Series: | Mdmesh M5 |
| Packaging | Tube |
| Packaging: | Tube |
| Technology | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2.3 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.01164 oz |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220AB |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 98 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 98nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.2nF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 42A |
| Id - Continuous Drain Current | 26.5 A |
| Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.056Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 63 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 63 mOhms |
| Линейка Продукции | MDmesh V |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 42А |
| Рассеиваемая Мощность | 250Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.056Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 42 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 63mΩ@21A, 10V |