Моя заявка (0)

STP50NF25, Транзистор N-МОП, полевой, 250В 45A 160Вт 0,069Ом TO220

STP50NF25, Транзистор N-МОП, полевой, 250В 45A 160Вт 0,069Ом TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062547993
Артикул
STP50NF25
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
20 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
26 ns
Цена по запросу
(от 360,97 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:20 ns
Packaging:Tube
Rise Time:26 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:68.2 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:160 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:45 ns
Typical Turn-Off Delay Time:63 ns
Id - Continuous Drain Current:45 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:69 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация